G-31D6型高精密光刻机

产品介绍：

设备概述

本设备广泛用于各大、中、小型企业、大专院校、科研单位，它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

主要构成 本设备为板板对准双面曝光<span style="font-family:;" "="">

主要由双目视场CCD显微显示系统、二台6"LED专用曝光头、PLC电控系统、高精度对准工作台、Z轴升降机构、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、二级防震工作台等组成。

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曝光头部件图

CCD显微系统|X、Y、Q对准工作台

主要功能特点

1.适用范围广

适用于150×150mm以下、厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光，双面可同时曝光，亦可用于单面曝光。

2.结构稳定

Z轴采用滚珠直进式导轨和可实现硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构，真空吸版，防粘片机构。

3.操作简便

X\Y移动、Q转、Z轴升降采用手动方式；吸版、反吹采用按钮方式，操作、调试、维护、修理都非常简便。

4. 可靠性高

采用进口（日本产）电磁阀、按钮、定时器；采用独特的气动系统、真空管路系统和精密的机械零件，使本机运行具有非常高的可靠性。

5. 特设功能

除标准承片台外，还可以为用户定制专用承片台，来解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题

主要技术指标

1、曝光类型：版版对准双面曝光

2、曝光面积：150×150mm；

3、曝光照度不均匀性：≤±3.5%；

4、曝光强度：0～30mw/cm²可调；

5、照明不均匀性改为≤3%；

6、紫外光中心波长：365nm；

7、紫外光源寿命：≥2万小时；

8、工作面温度：≤30℃

9、采用电子快门；

10、曝光分辨率：1μm(曝光深度为线宽的10倍左右)

11、曝光模式：双面同时曝光

12、对准范围：X:±5mm Y:±5mm

13、套刻精度：1μm

14、旋转范围：Q向旋转调节≤±5°

15、显微系统：双视场CCD系统，物镜1.6X～10X，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；

16、掩模版尺寸：能真空吸附6"方形掩板，对版的厚度无特殊要求（1～3mm皆可）。

17、基片尺寸：适用于Φ5"mm圆形基片（或3"×3"mm方形基片），基片厚度≤5mm。